Zum Inhalt springen

Technik. Tests. Trends.

Snapdragon Tegra & Co.

Galerie: Smartphone-Prozessoren

Von Qualcomm über Intel, Nvidia, Texax Instruments und Huawei bis Samsung: Wir stellen die derzeit wichtigsten Prozessoren für Smartphones und Tablets vor.

Autor: Hannes Rügheimer • 30.9.2013

Intel Atom Z2460 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 1 oder 2 (Single- o. Dual-Core), 32 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,6 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 24 KB Daten; Level 2: 512 KB
integrierter Grafikchip: PowerVR SGX 540, 400 MHz, 4+2 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 64 Bit DDR2 mit je 400 MHz
weitere integirerte Funktionen: - (erfordert externe Chips)

Nvidia Tegra 3+ AP37 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4+1 (Quad + Battery Saver Core), 40 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,6 GHz (Single-Core 1,7 GHz)
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: ULP GeForce, 520 MHz, 12 Kerne
unterstütze Speichertechnologie: 1 x 32 Bit DDR2 mit 800 MHz
weitere integrierte Funktionen: optional integriertes LTE-Modem

Nvidia Tegra 4 T114 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4+1 (Quad + Battery Saver Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,9 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: ULP GeForce, 633 MHz, 72 Kerne
untersützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR3 bis 933 MHz
weitere integrierte Funktionen: optional integriertes LTE-Modem

Qualcomm Snapdragon S4 MSM8930AB — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halleiter-Fertigungsprozess: 2 (Dual-core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,2 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 16 KB Befehle, 16 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: "Adreno 305", 266 MHz, 2 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 1 x 32 Bit DDR2 mit 533 MHz
weitere integirerte Funktionen: LTE, DC-HSPA+, WLAN 11n, Bluetooth 4.0

Qualcomm Snapdragon S4 MSM8960 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 2 (Dual-Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,7 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 16 KB Befehle, 16 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: "Adreno 225", 266 MHz, 2 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR2 mit 500 MHz
weitere integrierte Funktionen: LTE, DC-HSPA+, WLAN 11n, Bluetooth 4.0

Qualcomm Snapdragon 400 8230AB — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 2 (Dual-Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,7 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: "Adreno 305", 266 MHz, 2 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 1 x 32 Bit DDR2 mit 533 MHz
weitere integrierte Funktionen: optional LTE/DC-HSPA+/WLAN 11n/BT 4.0

Qualcomm Snapdragon 600 APQ 8064(T) — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4 (Quad-Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,9 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 16 KB Befehle, 16 KB Daten; Level 2: 2 MB
integrierter Grafikchip: "Adreno 320", 400 MHz, 4 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR3 mit 533 MHz
weitere integrierte Funktionen: WLAN 11 ac, Bluetooth 4.0

Qualcomm Snapdragon 800 APQ 8974 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4 (Quad-Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 2,3 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 16 KB Befehle, 16 KB Daten; Level 2: 2 MB
integrierter Grafikchip: "Adreno 330", 450 MHz, 4 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR3 mit 800 MHz
weitere integrierte Funktionen: LTE, WLAN 11 ac, BT 4.0, USB 3.0

Samsung Exynos 4412 (Exynos 4 Quad) — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4 (Quad-Core), 32 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,6 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: ARM Mail 400, bis 533 MHz, 4 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR3 mit 800 MHz
weitere integrierte Funktionen: - (erfordert externe Chips)

Samsung Exynos 5410/5420 (Exynos 5 Octal) — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4 (Quad-Core), 28 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,8 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1 MB
integrierter Grafikchip: ARM Mail T628, bis 600 MHz, 6 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR3e mit 933 MHz
weitere integrierte Funktionen: - (erfordert externe Chips)

Texas Instruments Omap 4470 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 2 x 2 (Dual-Core-High/Low-Power), 45 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,8 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 512 KB
integrierter Grafikchip: PowerVR SGX544, bis 384 MHz, 2 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 32 Bit DDR2 mit 466 MHz
weitere integrierte Funktionen: - (erfordert externe Chips)

Huawei (Hisilicon) K3V2 — Ausstattung:
Anzahl Kerne, Halbleiter-Fertigungsprozess: 4 (Quad-Core), 40 nm
Taktfrequenz: bis zu 1,5 GHz
integrierter Cache-Speicher: Level 1: 32 KB Befehle, 32 KB Daten; Level 2: 1MB
integrierter Grafikchip: Vivante GC4000, 480 MHz, 16 Kerne
unterstützte Speichertechnologie: 2 x 64 Bit DDR2 mit je 500 MHz
weitere integrierte Funktionen: - (erfordert externe Chips)

Weiter zur Startseite